所属频道: 首页 > 新车报价 > 东芝推出第三代碳化硅MOSFET可降低开关损耗

东芝推出第三代碳化硅MOSFET可降低开关损耗

来源:盖世汽车发表时间:2023-09-06 08:01  阅读量:5391   

盖世汽车讯 据外媒报道,东芝电子元件及存储装置株式会社推出采用有助于降低开关损耗4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET,即TWxxxZxxxC系列。该产品采用东芝最新的第三SiC MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列产品共有10款,其中5款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,并均已开始批量出货。

责任编辑:安远

郑重声明:此文内容为本网站转载企业宣传资讯,目的在于传播更多信息,与本站立场无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。

fold